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HUFA76629D3ST
- Artikelnummer:
- HUFA76629D3ST
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17556 Pieces
- Datenblatt:
- HUFA76629D3ST.pdf
Einführung
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Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252AA |
| Serie: | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 52 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 110W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | HUFA76629D3ST |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1285pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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