IPAW60R180P7SXKSA1
IPAW60R180P7SXKSA1
Artikelnummer:
IPAW60R180P7SXKSA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19744 Pieces
Datenblatt:
IPAW60R180P7SXKSA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 280µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO220 Full Pack
Serie:CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 5.6A, 10V
Verlustleistung (max):26W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Andere Namen:SP001606072
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Hersteller-Teilenummer:IPAW60R180P7SXKSA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1081pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 650V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
Beschreibung:MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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