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IPAW60R190CEXKSA1
- Artikelnummer:
- IPAW60R190CEXKSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V TO220-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16876 Pieces
- Datenblatt:
- IPAW60R190CEXKSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPAW60R190CEXKSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPAW60R190CEXKSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 630µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO220 Full Pack |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 34W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 Full Pack |
| Andere Namen: | SP001391612 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IPAW60R190CEXKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 63nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | Super Junction |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 26.7A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 26.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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