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IPD068N10N3GBTMA1
- Artikelnummer:
- IPD068N10N3GBTMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14762 Pieces
- Datenblatt:
- IPD068N10N3GBTMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPD068N10N3GBTMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPD068N10N3GBTMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.8 mOhm @ 90A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 150W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | IPD068N10N3 G IPD068N10N3 G-ND SP000469892 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | IPD068N10N3GBTMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4910pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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