IPD068P03L3GBTMA1
IPD068P03L3GBTMA1
Artikelnummer:
IPD068P03L3GBTMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12951 Pieces
Datenblatt:
IPD068P03L3GBTMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 150µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.8 mOhm @ 70A, 10V
Verlustleistung (max):100W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:IPD068P03L3 G
IPD068P03L3 G-ND
IPD068P03L3 GTR-ND
IPD068P03L3G
IPD068P03L3GBTMA1TR
SP000472988
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:IPD068P03L3GBTMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:7720pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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