IRFHM9331TR2PBF
IRFHM9331TR2PBF
Artikelnummer:
IRFHM9331TR2PBF
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12949 Pieces
Datenblatt:
IRFHM9331TR2PBF.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 25µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 11A, 20V
Verlustleistung (max):2.8W (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:IRFHM9331TR2PBFDKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:IRFHM9331TR2PBF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1543pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 11A (Ta), 24A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount PQFN (3x3)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11A (Ta), 24A (Tc)
Email:[email protected]

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