IXFN130N30
IXFN130N30
Artikelnummer:
IXFN130N30
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19019 Pieces
Datenblatt:
IXFN130N30.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 8mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max):700W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Hersteller-Teilenummer:IXFN130N30
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:14500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:380nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 300V 130A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Drain-Source-Spannung (Vdss):300V
Beschreibung:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:130A
Email:[email protected]

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