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IXFP4N85X
IXFP4N85X
Artikelnummer:
IXFP4N85X
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14300 Pieces
Datenblatt:
IXFP4N85X.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB (IXFP)
Serie:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.5 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max):150W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:IXFP4N85X
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:247pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 850V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):850V
Beschreibung:MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.5A (Tc)
Email:[email protected]

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