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IXTR32P60P
- Artikelnummer:
- IXTR32P60P
- Hersteller:
- IXYS Corporation
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15199 Pieces
- Datenblatt:
- IXTR32P60P.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IXTR32P60P, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IXTR32P60P per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ISOPLUS247™ |
| Serie: | PolarP™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 385 mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 310W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | ISOPLUS247™ |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IXTR32P60P |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 11100pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 196nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 600V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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