MSRT200100(A)D
MSRT200100(A)D
Artikelnummer:
MSRT200100(A)D
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15632 Pieces
Datenblatt:
MSRT200100(A)D.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1000V (1kV)
Supplier Device-Gehäuse:Three Tower
Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Three Tower
Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MSRT200100(A)D
Expanded Beschreibung:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1000V (1kV) 200A Chassis Mount Three Tower
Diodentyp:Standard
Diodenkonfiguration:1 Pair Series Connection
Beschreibung:DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:10µA @ 1000V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):200A
Email:[email protected]

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