MSRT200100(A)
MSRT200100(A)
Artikelnummer:
MSRT200100(A)
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14312 Pieces
Datenblatt:
1.MSRT200100(A).pdf2.MSRT200100(A).pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1000V (1kV)
Supplier Device-Gehäuse:Three Tower
Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Three Tower
Andere Namen:MSRT200100(A)GN
MSRT200100A
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MSRT200100(A)
Expanded Beschreibung:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V (1kV) 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Diodentyp:Standard
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
Beschreibung:DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:10µA @ 600V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

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