MURT20005R
MURT20005R
Artikelnummer:
MURT20005R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19697 Pieces
Datenblatt:
1.MURT20005R.pdf2.MURT20005R.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 100A
Spannung - Sperr (Vr) (max):50V
Supplier Device-Gehäuse:Three Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):75ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Three Tower
Andere Namen:MURT20005RGN
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MURT20005R
Expanded Beschreibung:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Diodentyp:Standard
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
Beschreibung:DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

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