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MURT20010R
- Artikelnummer:
- MURT20010R
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16475 Pieces
- Datenblatt:
- 1.MURT20010R.pdf2.MURT20010R.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für MURT20010R, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MURT20010R per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.3V @ 100A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 100V |
| Supplier Device-Gehäuse: | Three Tower |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 75ns |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | Three Tower |
| Andere Namen: | MURT20010RGN |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | MURT20010R |
| Expanded Beschreibung: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Diodentyp: | Standard |
| Diodenkonfiguration: | 1 Pair Common Anode |
| Beschreibung: | DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 25µA @ 50V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für MURT20010R
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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MURT20060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | Anfrage |
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