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NE3512S02-T1C-A
- Artikelnummer:
- NE3512S02-T1C-A
- Hersteller:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Beschreibung:
- HJ-FET NCH 13.5DB S02
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17937 Pieces
- Datenblatt:
- 1.NE3512S02-T1C-A.pdf2.NE3512S02-T1C-A.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NE3512S02-T1C-A, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NE3512S02-T1C-A per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Prüfung: | 2V |
|---|---|
| Spannung - Nennwert: | 4V |
| Transistor-Typ: | HFET |
| Supplier Device-Gehäuse: | S02 |
| Serie: | - |
| Leistung: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-SMD, Flat Leads |
| Andere Namen: | NE3512S02-T1C-A-ND NE3512S02-T1C-ATR NE3512S02T1CA |
| Rauschmaß: | 0.35dB |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | NE3512S02-T1C-A |
| Gewinnen: | 13.5dB |
| Frequenz: | 12GHz |
| Expanded Beschreibung: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 |
| Beschreibung: | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| Aktuelle Bewertung: | 70mA |
| Strom - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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