Kaufen NE3516S02-T1C-A mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
Spannung - Prüfung: | 2V |
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Spannung - Nennwert: | 4V |
Transistor-Typ: | N-Channel GaAs HJ-FET |
Supplier Device-Gehäuse: | S02 |
Serie: | - |
Leistung: | 165mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 4-SMD, Flat Leads |
Rauschmaß: | 0.35dB |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | NE3516S02-T1C-A |
Gewinnen: | 14dB |
Frequenz: | 12GHz |
Expanded Beschreibung: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
Beschreibung: | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
Aktuelle Bewertung: | 60mA |
Strom - Test: | 10mA |
Email: | [email protected] |