NE3516S02-T1C-A
NE3516S02-T1C-A
Artikelnummer:
NE3516S02-T1C-A
Hersteller:
CEL (California Eastern Laboratories)
Beschreibung:
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15399 Pieces
Datenblatt:
NE3516S02-T1C-A.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Prüfung:2V
Spannung - Nennwert:4V
Transistor-Typ:N-Channel GaAs HJ-FET
Supplier Device-Gehäuse:S02
Serie:-
Leistung:165mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:4-SMD, Flat Leads
Rauschmaß:0.35dB
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:NE3516S02-T1C-A
Gewinnen:14dB
Frequenz:12GHz
Expanded Beschreibung:RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
Beschreibung:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Aktuelle Bewertung:60mA
Strom - Test:10mA
Email:[email protected]

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