Kaufen NE3516S02-T1C-A mit BYCHPS
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| Spannung - Prüfung: | 2V |
|---|---|
| Spannung - Nennwert: | 4V |
| Transistor-Typ: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Supplier Device-Gehäuse: | S02 |
| Serie: | - |
| Leistung: | 165mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-SMD, Flat Leads |
| Rauschmaß: | 0.35dB |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | NE3516S02-T1C-A |
| Gewinnen: | 14dB |
| Frequenz: | 12GHz |
| Expanded Beschreibung: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
| Beschreibung: | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| Aktuelle Bewertung: | 60mA |
| Strom - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |