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NESG7030M04-A
- Artikelnummer:
- NESG7030M04-A
- Hersteller:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Beschreibung:
- DISCRETE RF DIODE
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13575 Pieces
- Datenblatt:
- NESG7030M04-A.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NESG7030M04-A, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NESG7030M04-A per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 4.3V |
|---|---|
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | M04 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 125mW |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-343F |
| Andere Namen: | NESG7030M04A |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Rauschzahl (dB Typ @ f): | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | NESG7030M04-A |
| Gewinnen: | 14dB ~ 21dB |
| Frequenz - Übergang: | 5.8GHz |
| Expanded Beschreibung: | RF Transistor NPN 4.3V 30mA 5.8GHz 125mW Surface Mount M04 |
| Beschreibung: | DISCRETE RF DIODE |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 5mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für NESG7030M04-A
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
BFS17NQTA | Diodes Incorporated | TRANSISTOR RF NPN SOT23-3 | Anfrage |
 |
2SC4094-T1-A | CEL | RF TRANSISTOR NPN SOT-143 | Anfrage |
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