QS6K1TR
QS6K1TR
Artikelnummer:
QS6K1TR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12488 Pieces
Datenblatt:
QS6K1TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:238 mOhm @ 1A, 4.5V
Leistung - max:1.25W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:QS6K1TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:77pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1A
Email:[email protected]

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