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QS8J11TCR
- Artikelnummer:
- QS8J11TCR
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13677 Pieces
- Datenblatt:
- QS8J11TCR.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für QS8J11TCR, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für QS8J11TCR per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Leistung - max: | 550mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen: | QS8J11TCRTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | QS8J11TCR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
| Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
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