Kaufen QS8J12TCR mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
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Supplier Device-Gehäuse: | TSMT8 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Leistung - max: | 550mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | QS8J12TCR |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 4.5V |
Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Merkmal: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 550mW Surface Mount TSMT8 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.5A |
Email: | [email protected] |