QS8J12TCR
QS8J12TCR
Artikelnummer:
QS8J12TCR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19309 Pieces
Datenblatt:
QS8J12TCR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:TSMT8
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Leistung - max:550mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:QS8J12TCR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4200pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 4.5V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate, 1.5V Drive
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 550mW Surface Mount TSMT8
Drain-Source-Spannung (Vdss):12V
Beschreibung:MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

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