RE1E002SPTCL
RE1E002SPTCL
Artikelnummer:
RE1E002SPTCL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17708 Pieces
Datenblatt:
RE1E002SPTCL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:EMT3F (SOT-416FL)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 250mA, 10V
Verlustleistung (max):150mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-89, SOT-490
Andere Namen:RE1E002SPTCLTR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:RE1E002SPTCL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:30pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:250mA (Ta)
Email:[email protected]

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