RF4C050APTR
RF4C050APTR
Artikelnummer:
RF4C050APTR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14752 Pieces
Datenblatt:
RF4C050APTR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):-8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:6-HUML2020L8 (2x2)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max):2W (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-PowerUDFN
Andere Namen:RF4C050APTRDKR
RF4C050APTRDKR-ND
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:RF4C050APTR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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