RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A
Artikelnummer:
RFD16N06LESM9A
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17702 Pieces
Datenblatt:
RFD16N06LESM9A.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252AA
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:47 mOhm @ 16A, 5V
Verlustleistung (max):90W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:RFD16N06LESM9ADKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:RFD16N06LESM9A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 60V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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