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RQ3E080BNTB
- Artikelnummer:
- RQ3E080BNTB
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15968 Pieces
- Datenblatt:
- RQ3E080BNTB.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für RQ3E080BNTB, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RQ3E080BNTB per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15.2 mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen: | RQ3E080BNTBTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | RQ3E080BNTB |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.5nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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