RQ5E070BNTCL
RQ5E070BNTCL
Artikelnummer:
RQ5E070BNTCL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12124 Pieces
Datenblatt:
RQ5E070BNTCL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TSMT3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16.1 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max):1W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-96
Andere Namen:RQ5E070BNTCLTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:RQ5E070BNTCL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 7A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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