SH8KA2GZETB
Artikelnummer:
SH8KA2GZETB
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14461 Pieces
Datenblatt:
SH8KA2GZETB.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:8-SOP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max:2.8W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:SH8KA2GZETBTR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:SH8KA2GZETB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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