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SIA537EDJ-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SIA537EDJ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14225 Pieces
- Datenblatt:
- 1.SIA537EDJ-T1-GE3.pdf2.SIA537EDJ-T1-GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SIA537EDJ-T1-GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SIA537EDJ-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Leistung - max: | 7.8W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Andere Namen: | SIA537EDJ-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SIA537EDJ-T1-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 455pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 8V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V, 20V |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
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