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SIA533EDJ-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SIA533EDJ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14673 Pieces
- Datenblatt:
- SIA533EDJ-T1-GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SIA533EDJ-T1-GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SIA533EDJ-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Leistung - max: | 7.8W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Andere Namen: | SIA533EDJ-T1-GE3TR SIA533EDJT1GE3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SIA533EDJ-T1-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
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