SIA921EDJ-T4-GE3
SIA921EDJ-T4-GE3
Artikelnummer:
SIA921EDJ-T4-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15826 Pieces
Datenblatt:
SIA921EDJ-T4-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Leistung - max:7.8W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Hersteller-Teilenummer:SIA921EDJ-T4-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

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