SP8M70TB1
SP8M70TB1
Artikelnummer:
SP8M70TB1
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18298 Pieces
Datenblatt:
SP8M70TB1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:8-SOP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.63 Ohm @ 1.5A, 10V
Leistung - max:650mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:SP8M70TB1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.2nC @ 10V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss):250V
Beschreibung:MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3A, 2.5A
Email:[email protected]

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