Kaufen SPB20N60S5ATMA1 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 1mA |
---|---|
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-3-2 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 13A, 10V |
Verlustleistung (max): | 208W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen: | SPB20N60S5 SPB20N60S5-ND SPB20N60S5INTR SPB20N60S5INTR-ND SPB20N60S5XT |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | SPB20N60S5ATMA1 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 103nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 20A TO-263 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |