Kaufen SPP04N50C3HKSA1 mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 200µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 50W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | SPP04N50C3 SPP04N50C3IN SPP04N50C3IN-ND SPP04N50C3X SPP04N50C3XK SPP04N50C3XTIN SPP04N50C3XTIN-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | SPP04N50C3HKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 560V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 560V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |