SPP11N60S5HKSA1
SPP11N60S5HKSA1
Artikelnummer:
SPP11N60S5HKSA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16303 Pieces
Datenblatt:
SPP11N60S5HKSA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 500µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max):125W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:SPP11N60S5HKSA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
Beschreibung:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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