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SPP11N80C3XKSA1
- Artikelnummer:
- SPP11N80C3XKSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14784 Pieces
- Datenblatt:
- SPP11N80C3XKSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SPP11N80C3XKSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SPP11N80C3XKSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 680µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 156W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | SP000683158 SPP11N80C3 SPP11N80C3IN SPP11N80C3IN-ND SPP11N80C3X SPP11N80C3XK SPP11N80C3XTIN SPP11N80C3XTIN-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SPP11N80C3XKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 85nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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