SPP80P06P H
SPP80P06P H
Artikelnummer:
SPP80P06P H
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17654 Pieces
Datenblatt:
SPP80P06P H.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 5.5mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO220-3-1
Serie:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 64A, 10V
Verlustleistung (max):340W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:SP000441774
SPP80P06P G
SPP80P06P G-ND
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Hersteller-Teilenummer:SPP80P06P H
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5033pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:173nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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