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SQ4920EY-T1_GE3
- Artikelnummer:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14854 Pieces
- Datenblatt:
- SQ4920EY-T1_GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SQ4920EY-T1_GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SQ4920EY-T1_GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 14.5 mOhm @ 6A, 10V |
| Leistung - max: | 4.4W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | SQ4920EY-T1-GE3 SQ4920EY-T1-GE3-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SQ4920EY-T1_GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1465pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SO |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
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