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SQM110N05-06L_GE3
- Artikelnummer:
- SQM110N05-06L_GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 110A TO263
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12963 Pieces
- Datenblatt:
- SQM110N05-06L_GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SQM110N05-06L_GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SQM110N05-06L_GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-263 (D2Pak) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 157W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | SQM110N05-06L-GE3 SQM110N05-06L-GE3-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SQM110N05-06L_GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4440pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 55V 110A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 55V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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