STB60NF06LT4
STB60NF06LT4
Artikelnummer:
STB60NF06LT4
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13472 Pieces
Datenblatt:
STB60NF06LT4.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D2PAK
Serie:STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):110W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:497-6554-2
STB60NF06LT4-ND
Betriebstemperatur:-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:18 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STB60NF06LT4
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 60V 60A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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