Kaufen STB80NF03L-04-1 mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | I2PAK |
Serie: | STripFET™ II |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max): | 300W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Andere Namen: | 497-12540-5 STB80NF03L-04-1-ND STB80NF03L041 |
Betriebstemperatur: | -60°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | STB80NF03L-04-1 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 4.5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |