STD3NK100Z
STD3NK100Z
Artikelnummer:
STD3NK100Z
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16050 Pieces
Datenblatt:
STD3NK100Z.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DPAK
Serie:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 Ohm @ 1.25A, 10V
Verlustleistung (max):90W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:497-7967-2
STD3NK100Z-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:26 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STD3NK100Z
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:601pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 1000V (1kV) 2.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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