STS2DPFS20V
STS2DPFS20V
Artikelnummer:
STS2DPFS20V
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19671 Pieces
Datenblatt:
STS2DPFS20V.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max):2W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:497-3225-2
STS2DPFS20V-E
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STS2DPFS20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:315pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.7nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung:P-Channel 20V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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