R5207ANDTL
R5207ANDTL
Artikelnummer:
R5207ANDTL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15529 Pieces
Datenblatt:
R5207ANDTL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:CPT3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max):40W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:R5207ANDTL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Drain-Source-Spannung (Vdss):525V
Beschreibung:MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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