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Kaufen mit Garantie
2N7636-GA
- Artikelnummer:
- 2N7636-GA
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS SJT 650V 4A TO276
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 18166 Pieces
- Datenblatt:
- 2N7636-GA.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 2N7636-GA, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 2N7636-GA per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-276 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 415 mOhm @ 4A |
| Verlustleistung (max): | 125W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-276AA |
| Andere Namen: | 1242-1147 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | 2N7636-GA |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 324pF @ 35V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | - |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | 650V 4A (Tc) (165°C) 125W (Tc) Surface Mount TO-276 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | TRANS SJT 650V 4A TO276 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4A (Tc) (165°C) |
| Email: | [email protected] |
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