Kaufen 2N7639-GA mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | - |
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Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-257 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 15A |
Verlustleistung (max): | 172W (Tc) |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-257-3 |
Andere Namen: | 1242-1150 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | 2N7639-GA |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1534pF @ 35V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
Typ FET: | - |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | 650V 15A (Tc) (155°C) 172W (Tc) Through Hole TO-257 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
Beschreibung: | TRANS SJT 650V 15A TO-257 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 15A (Tc) (155°C) |
Email: | [email protected] |