Kaufen 2N7637-GA mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-257 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 170 mOhm @ 7A |
| Verlustleistung (max): | 80W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-257-3 |
| Andere Namen: | 1242-1148 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | 2N7637-GA |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 35V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | - |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | 650V 7A (Tc) (165°C) 80W (Tc) Through Hole TO-257 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | TRANS SJT 650V 7A TO-257 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 7A (Tc) (165°C) |
| Email: | [email protected] |