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APT50GP60B2DQ2G
- Artikelnummer:
- APT50GP60B2DQ2G
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- IGBT 600V 150A 625W TMAX
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19408 Pieces
- Datenblatt:
- APT50GP60B2DQ2G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APT50GP60B2DQ2G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APT50GP60B2DQ2G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 600V |
|---|---|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 50A |
| Testbedingung: | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 19ns/85ns |
| Schaltenergie: | 465µJ (on), 635µJ (off) |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Leistung - max: | 625W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 Variant |
| Andere Namen: | APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | APT50GP60B2DQ2G |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | PT |
| Gate-Ladung: | 165nC |
| Expanded Beschreibung: | IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole |
| Beschreibung: | IGBT 600V 150A 625W TMAX |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 190A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 150A |
| Email: | [email protected] |
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