APT50GP60BG
APT50GP60BG
Artikelnummer:
APT50GP60BG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT 600V 100A 625W TO247
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19152 Pieces
Datenblatt:
APT50GP60BG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 50A
Testbedingung:400V, 50A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:19ns/83ns
Schaltenergie:465µJ (on), 637µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247 [B]
Serie:POWER MOS 7®
Leistung - max:625W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:APT50GP60BGMI
APT50GP60BGMI-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:APT50GP60BG
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:PT
Gate-Ladung:165nC
Expanded Beschreibung:IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
Beschreibung:IGBT 600V 100A 625W TO247
Strom - Collector Pulsed (Icm):190A
Strom - Kollektor (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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