FDFMA2N028Z
FDFMA2N028Z
Artikelnummer:
FDFMA2N028Z
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12598 Pieces
Datenblatt:
FDFMA2N028Z.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:68 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Verlustleistung (max):1.4W (Tj)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-VDFN Exposed Pad
Andere Namen:FDFMA2N028ZTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FDFMA2N028Z
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:455pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung:N-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.7A (Ta)
Email:[email protected]

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