FDFMA3P029Z
FDFMA3P029Z
Artikelnummer:
FDFMA3P029Z
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14467 Pieces
Datenblatt:
FDFMA3P029Z.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:87 mOhm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (max):1.4W (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:6-VDFN Exposed Pad
Andere Namen:FDFMA3P029ZDKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDFMA3P029Z
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:435pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.3A (Ta)
Email:[email protected]

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