FDFMA2P853T
FDFMA2P853T
Artikelnummer:
FDFMA2P853T
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14953 Pieces
Datenblatt:
FDFMA2P853T.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:MicroFET 2x2 Thin
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max):1.4W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen:FDFMA2P853T-ND
FDFMA2P853TTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDFMA2P853T
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:435pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung:P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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