FQPF8P10
FQPF8P10
Artikelnummer:
FQPF8P10
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17824 Pieces
Datenblatt:
FQPF8P10.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220F
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:530 mOhm @ 2.65A, 10V
Verlustleistung (max):28W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FQPF8P10
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 100V 5.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

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